VOLTEmos分析.docx | |
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资料名称:VOLTEmos分析.docx 资料大小:1.58 MB 上传时间:2016-10-18 17:16:39 下载次数:296 次 所需威望:30 个 您尚未登录本论坛,请先登录 资料等级: 您尚未登录本论坛,请先登录 |
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VoLTE语音MOS优化分析方法1、MOS差的问题点定位测试log单次通话连续两个采样点MOS值小于3的问题点定义为MOS差的问题点。注意事项:需剔除通话结束的最后一个采样点与下次通话第一个采样点的MOS值都小于3的问题点。2、MOS优化分析方法由MOS采样点机制可以看出,MOS采样点收集的是采样时间点前8秒的语音质量,所以在分析的时候,需着重分析MOS采样时间前8秒UE本端的下行(包括:无线环境、语音编码、抖动、丢包、频繁切换、RRC重建、异频测量频次等),以及对端的上行(包括:频繁切换、RRC重建、异频测量频次等)。三、VoLTE语音MOS值的影响因素及优化思路1、MOS值的影响因素MOS值的直接影响因素为:端到端时延、抖动、丢包;VoLTE端到端时延可以分解为:UE语音编/解码时延、空口传输时延、核心网的处理时延、传输网的传输时延。丢包和抖动的影响因素包括:空口信号质量、eNB负载、传输网的丢包和抖动。故将以上因素分解后,MOS的影响因素包括:语音编码、覆盖、干扰、切换、邻区、基站负荷、基站故障、传输、核心网、测试终端、人为操作失误等。2、MOS值的优化思路结合以上影响因素和前期VoLTE拉网测试时遇到的MOS问题,共总结出四类问题点类型:无线问题、基站异常、测试规范和设备、核心网/传输。在分析MOS问题时,我们首先要考虑基站是否正常工作,其次考虑测试是否规范、测试设备是否正常,再次判断是否为无线问题造成的,最后才考虑是否核心网及传输网引起的。因此我们在分析MOS问题时,应该按以下步骤进行MOS优化:VOLTEmos分析.docx
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