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从芯片角度看,加深对TD-LTE行业的认知
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发表于 2014-12-16 10:45:25  只看楼主 
近期,本人近日看到几篇文章,从芯片角度看,来认知TD-S到TD-L的演进发展,也是给自己解惑为什么TD-S产业发展滞后,欢迎大家一起来讨论。
我们知道相比系统设备,终端芯片对技术的升级演进更加敏感。系统设备方面,技术的演进往往只是增加一块板子,而对芯片来说,就需要把原来的产品推到重来。而在TD-S时代,整个产业都吃了这样的亏,名牌芯片厂商是不支持的,终端厂商可以说是绕道而行。2014年称之为TD-LTE发展的元年,TD-LTE商用牌照发放一年,我们亲眼看到和感知到4G商用的成功。目前,商用终端推陈出新,价格战此起彼伏!领军的是苹果,拿走了大部分利润;三星终端这期间已出现了颓势,乘胜起来的是华为、小米、步步高、魅族等等,用户感知4G速度够快,这已深入人心!
另外,我们看到的是大芯片厂商的支持,也是推进行业发展的关键因素。除了高通、海思、Marvell能够量产芯片外,三星、联发科、Intel、联芯科技、展讯等厂商也加入了TD-LTE的行业队伍中来。

以下是目前芯片行业的进展情况,从技术上决定了行业的成熟度,我搜集并整理的一些资料给大家分享来看。
28nm工艺已经普及,很多芯片厂商已经开始做20nm芯片了。多模多频对于较大的厂商来说已经不是技术难题,大部分的TD-LTE芯片已经能够支持Cat4能力,也有部分产品能够通过载波聚合技术支持Cat6能力。而支持VoLTE也将成为TD-LTE芯片的标准配备。
LTE CAT是指终端支持的LTE编码模式,代表着无线速率,其中LTE CAT4 下行150M,上行50M;LTE CAT6 下行300M,上行50M;LTE A这个,看聚合能力,最多1G。

CAT-3芯片
下行100Mbps/上行50Mbps

CAT-4芯片
下行150 Mbp
如五模十三频
Marvell

典型商用终端
GALAXY Note 3 LTE N9008VGALAXY Core LTE G3518

CAT-6芯片
下行220Mbps
40MHZ双载波TD-LTE-A载波聚合
海思


下行300Mbps 40MHz*2FDD载波聚合

典型商用终端
华为荣耀6


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physical layer parameter values set by UE Category

[attach]316175[/attach]

Uplink physical layer parameter values set by UE Category

UE Category

Maximum number of bits of an UL-SCH transport block transmitted within a TTI

Support for 64QAM in UL

Category 1

5160

No

Category 2

25456

No

Category 3

51024

No

Category 4

51024

No

Category 5

75376

Yes


Total layer 2 buffer sizes set by UE Category

UE Category

Total layer 2 buffer size [kBytes]

Category 1

[138]

Category 2

[687]

Category 3

[1373]

Category 4

[1832]

Category 5

[3434]

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    假有它日退出时,一笑回首别昨天。
     
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    发表于 2014-12-19 16:51:04 
    技术问题,回答得专家指数,快速升级
    能不能发一个市面上各种品牌终端对应的CAT等级

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